Для корректной работы этого сайта необходима поддержка JavaScript и "cookies" Вашим браузером. Подробнее

МЫ ПРИНИМАЕМ ЗАКАЗЫ ПО ТЕЛЕФОНАМ +7 (495) 374-94-88, 8(800) 775-80-36 (бесплатно для регионов) С 10:00 ДО 19:00
Здравствуйте, Гость! (Войти в систему)

Ваша корзина

В корзине 0 товаров на сумму
0 руб


Отложено: 0 товаров

Ваша корзина пуста.

Нажмите кнопку "В корзину" на интересующих вас товарах.

Лучшие книги недели

Древняя Русь в свете зарубежных источников - Джаксон Т.Н. - купить  книгу с доставкой

Древняя Русь в свете зарубежных источников

Джаксон Т.Н., Бибиков М.В
532 руб
Мир-система Модерна. Том 1. Капиталистическое сельское хозяйство и истоки европейского мира-экономики в XVI веке - Иммануэль Валлерстайн - купить  книгу с доставкой

Мир-система Модерна. Том 1

Иммануэль Валлерстайн
675 руб
Евреи, конфуцианцы и протестанты. Культурный капитал и конец мультикультурализма - Лоуренс Харрисон - купить  книгу с доставкой

Евреи, конфуцианцы и протестанты

Лоуренс Харрисон
388 руб
Феномены мозга - Бехтерев В. М. - купить  книгу с доставкой

Феномены мозга

Бехтерев В. М.
415 руб

СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках. Учебное пособие

Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А.

СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках. Учебное пособие - Васильев А.Г. - купить  книгу с доставкой
Техносфера, твердый переплет, 2011

Код товара: 827358

ISBN: 978-5-94836-290-8

Тип переплета: твердый переплет

Тираж книги: 1000

Формат книги: 60x90/16 (145x215 мм)

Количество страниц: 256

Временно отсутствует
Чтобы оставить заявку, введите свой e-mail
0
Аннотация к книге "СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках. Учебное пособие":
Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов.
Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.