Для корректной работы этого сайта необходима поддержка JavaScript и "cookies" Вашим браузером. Подробнее

МЫ ПРИНИМАЕМ ЗАКАЗЫ ПО ТЕЛЕФОНАМ +7 (495) 374-94-88, 8(800) 775-80-36 (бесплатно для регионов) С 10:00 ДО 19:00
Здравствуйте, Гость! (Войти в систему)

Ваша корзина

В корзине 0 товаров на сумму
0 руб


Отложено: 0 товаров

Ваша корзина пуста.

Нажмите кнопку "В корзину" на интересующих вас товарах.

Лучшие книги недели

Древняя Русь в свете зарубежных источников - Джаксон Т.Н. - купить  книгу с доставкой

Древняя Русь в свете зарубежных источников

Джаксон Т.Н., Бибиков М.В
532 руб
Мир-система Модерна. Том 1. Капиталистическое сельское хозяйство и истоки европейского мира-экономики в XVI веке - Иммануэль Валлерстайн - купить  книгу с доставкой

Мир-система Модерна. Том 1

Иммануэль Валлерстайн
675 руб
Евреи, конфуцианцы и протестанты. Культурный капитал и конец мультикультурализма - Лоуренс Харрисон - купить  книгу с доставкой

Евреи, конфуцианцы и протестанты

Лоуренс Харрисон
388 руб
Феномены мозга - Бехтерев В. М. - купить  книгу с доставкой

Феномены мозга

Бехтерев В. М.
415 руб

Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне

Вонг Б.П., Миттал А., Старр Г.

Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне - Вонг Б.П. - купить  книгу с доставкой
Техносфера, твердый переплет, 2014

Код товара: 1038099

ISBN: 978-5-94836-377-6, 978-0-471-46610-9

Тип переплета: твердый переплет

Тираж книги: 1000

Формат книги: 70x100/16 (170x240 мм)

Количество страниц: 432

Временно отсутствует
Чтобы оставить заявку, введите свой e-mail
0
Аннотация к книге "Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне":
Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4—9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.
Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.